BSO203SPHXUMA1、IRF7404、SI4435DY对比区别

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型号 BSO203SPHXUMA1 IRF7404 SI4435DY

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, -900 mVSOIC P-CH 20V 6.7AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4435DY.  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOP SOIC-8 SOIC-8

额定功率 1.6 W - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.015 Ω - 0.015 Ω

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.50 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7A 6.70 A -8.80 A

上升时间 55 ns 32 ns 13.5 ns

输入电容(Ciss) 2500pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 1604pF @15V(Vds)

下降时间 74 ns 65 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2500 mW 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - -20.0 V -30.0 V

额定电流 - -6.70 A -8.80 A

产品系列 - IRF7404 -

漏源击穿电压 - -20.0 V -150 V

额定功率(Max) - 2.5 W 1 W

输入电容 - - 1.60 nF

栅电荷 - - 17.0 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SOP SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.57 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99