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71256S45TDB、IDT71256S45DB、71256S45DB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71256S45TDB IDT71256S45DB 71256S45DB

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 45ns 28Pin CDIP TubeCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 45ns 28Pin CDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 CDIP-28 CDIP CDIP

长度 37.7 mm - 37.2 mm

宽度 7.62 mm - 15.2 mm

封装 CDIP-28 CDIP CDIP

厚度 3.56 mm - 1.65 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

电源电压 4.5V ~ 5.5V - -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TA) - -

ECCN代码 - 3A001 -