FQPF20N06、STP36NF06FP、FQPF20N06L对比区别
型号 FQPF20N06 STP36NF06FP FQPF20N06L
描述 QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP36NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF20N06L, 15.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 60.0 mΩ 0.04 Ω 0.042 Ω
耗散功率 30 W 25 W 30 W
阈值电压 - 4 V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
上升时间 45 ns 40 ns 156 ns
输入电容(Ciss) 590pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 25 W 30 W
下降时间 25 ns 9 ns 70 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 25000 mW 30 W
额定功率 30 W 25 W -
通道数 - 1 -
极性 N-Channel N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 18.0 A -
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 15.0 A - -
漏源击穿电压 60.0 V - -
栅源击穿电压 ±25.0 V - -
长度 10.36 mm 10.4 mm 10.16 mm
宽度 4.9 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 16.07 mm 9.3 mm 9.19 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -