SI8424CDB-T1-E1、SI8424DB-T1-E1对比区别

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型号 SI8424CDB-T1-E1 SI8424DB-T1-E1

描述 N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN沟道1.2 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 4 4

封装 MicroFoot-4 MFP-4

漏源极电阻 0.015 Ω 0.025 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.7 W 2.78 W

阈值电压 800 mV 1 V

漏源极电压(Vds) 8 V 8 V

上升时间 19 ns -

输入电容(Ciss) 2340pF @4V(Vds) -

下降时间 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2700 mW -

连续漏极电流(Ids) - 1.30 A

长度 1.6 mm -

宽度 1.6 mm -

高度 0.31 mm -

封装 MicroFoot-4 MFP-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -