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RMLV0408EGSP-4S2#CA0、RMLV0408EGSP-4S2#HA0、RMLV0408EGSP-4S2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RMLV0408EGSP-4S2#CA0 RMLV0408EGSP-4S2#HA0 RMLV0408EGSP-4S2

描述 低功率 SRAM,RMLV 系列,Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗,还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间:45ns(最大值) 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出,带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512KWord x 8 45ns 32Pin SOP Embossed T/R4MB先进LPSRAM 4Mb Advanced LPSRAM

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 -

封装 SOP-32 SOP-32 SOP

安装方式 Surface Mount - -

位数 8 8 -

存取时间 45 ns 45 ns -

存取时间(Max) 45 ns 45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V -

针脚数 32 - -

时钟频率 1 MHz - -

封装 SOP-32 SOP-32 SOP

长度 20.95 mm - -

宽度 11.5 mm - -

高度 2.8 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -