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JAN1N6126AUS、JANS1N6126AUS、1N6126AUS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6126AUS JANS1N6126AUS 1N6126AUS

描述 E-MELF 51.7V 500WESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage SuppressorTvs Diode 51.7vwm 97.1vc Sqmelf

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

封装 SQ-MELF B-Package-2 SQ-MELF

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

工作电压 - 51.7 V -

击穿电压 - 64.6 V -

耗散功率 - 2 W -

钳位电压 - 97.1 V -

最大反向电压(Vrrm) 51.7V 51.7V -

脉冲峰值功率 500 W 500 W 500 W

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

最小反向击穿电压 64.6 V - 64.6 V

封装 SQ-MELF B-Package-2 SQ-MELF

产品生命周期 Active Active Active

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead