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DMT6008LFG-13、DMT6008LFG-7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMT6008LFG-13 DMT6008LFG-7

描述 N沟道 60V 13AN沟道 60V 13A

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.2 W 2.2 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 13A 13A

上升时间 4.4 ns 4.4 ns

输入电容(Ciss) 2713pF @30V(Vds) 2713pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 2.2 W 2.2 W

下降时间 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 41W (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc)

通道数 - 1

漏源极电阻 - 6.5 mΩ

阈值电压 - 2 V

输入电容 - 2713 pF

漏源击穿电压 - 60 V

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free