锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ATP207、ATP302、ATP203对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATP207 ATP302 ATP203

描述 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ApplicationsDPAK(Single Gauge)/ATPAK P-CH -60V -70A 18mΩN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

数据手册 ---

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) ON Semiconductor (安森美) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类

基础参数对比

封装 - DPAK -

漏源极电阻 - 18 mΩ -

极性 - P-CH -

耗散功率 - 70 W -

阈值电压 - -2.6V -

漏源极电压(Vds) - -60V -

连续漏极电流(Ids) - -70A -

封装 - DPAK -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant