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GS8342TT11BD-500I、GS8342TT11BGD-500I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8342TT11BD-500I GS8342TT11BGD-500I

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 9 36M静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 9 36M

数据手册 --

制造商 GSI GSI

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-165 BGA-165

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

封装 BGA-165 BGA-165

工作温度 - -40℃ ~ 100℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant