IRF6674TR1PBF、IRF6674TRPBF对比区别

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型号 IRF6674TR1PBF IRF6674TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 60V 13.4AINFINEON  IRF6674TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET

额定功率 89 W 89 W

通道数 1 1

漏源极电阻 9 mΩ 0.009 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 89 W 89 W

阈值电压 4.9 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 13.4A 13.4A

上升时间 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

下降时间 8.7 ns 8.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 89W (Tc) 3.6W (Ta), 89W (Tc)

针脚数 - 7

长度 6.35 mm 6.35 mm

宽度 5.05 mm 5.05 mm

高度 0.7 mm 0.7 mm

封装 Direct-FET Direct-FET

材质 Silicon Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17