CY7C1518KV18-250BZXC、GS8662T18BGD-250、GS8672T18BGE-250对比区别

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型号 CY7C1518KV18-250BZXC GS8662T18BGD-250 GS8672T18BGE-250

描述 72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 165 165 -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

位数 18 - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

电源电压 1.7V ~ 1.9V - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

高度 0.89 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tray - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - -