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CY7C1019D-10VXI、CY7C1019D-10VXIT、IS63LV1024L-10KLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1019D-10VXI CY7C1019D-10VXIT IS63LV1024L-10KLI

描述 CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1019D-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 1Mb, 并行口, 10NS, SOJ-32CY7C1019D 系列 1 Mb (128 K x 8) 5 V 10 ns 静态RAM - SOJ-32静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 BSOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

供电电流 80 mA 80 mA 160 mA

位数 8 8 8

存取时间 10 ns 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 3.30 V, 3.45 V (max)

内存容量 125000 B - 1000000 B

针脚数 32 - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

封装 BSOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 3A991.b.2.b 3A991.b.2.b EAR99