R1WV3216RSD-7SI、R1LV3216RSD-5SI#B0、R1WV3216RSD-7SR对比区别

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型号 R1WV3216RSD-7SI R1LV3216RSD-5SI#B0 R1WV3216RSD-7SR

描述 32MB先进LPSRAM （ 2M wordx16bit ） 32Mb Advanced LPSRAM (2M wordx16bit)SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）32MB先进LPSRAM （ 2M wordx16bit ） 32Mb Advanced LPSRAM (2M wordx16bit)

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

引脚数 52 52 -

封装 TSOP TSOP-52 TSOP

安装方式 - Surface Mount -

电源电压(DC) 2.70V (min) - -

存取时间 70 ns 55 ns -

内存容量 4000000 B - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3 V 2.7V ~ 3.6V 3 V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

位数 - 8, 16 -

存取时间(Max) - 55 ns -

封装 TSOP TSOP-52 TSOP

长度 - 10.89 mm -

宽度 - 8.99 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Each Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - PB free -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -

ECCN代码 - EAR99 -