PBRP123ET,215、PBRP123YT、DTA143EKAT146对比区别

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型号 PBRP123ET,215 PBRP123YT DTA143EKAT146

描述 TO-236AB PNP 40V 600mAPNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsPNP 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 0.57 W 250 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 50 V

集电极最大允许电流 600mA 600mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 180 @300mA, 5V 230 30 @10mA, 5V

直流电流增益(hFE) - 320 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 570 mW 570 mW 200 mW

额定功率(Max) 250 mW - 200 mW

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -100 mA

额定功率 - - 0.2 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 30

增益带宽 - - 250 MHz

长度 - 3 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.6 mm

高度 1 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99