DS1265W-100-IND、DS1265AB-100+、DS1265W-100IND对比区别

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型号 DS1265W-100-IND DS1265AB-100+ DS1265W-100IND

描述 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAMlIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP DIP-36 EDIP-36

引脚数 36 - 36

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 40 ℃

电源电压 - 4.75V ~ 5.25V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 100 GHz - 100 GHz

内存容量 8000000 B - 1000000 B

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 - 53.34 mm 53.34 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 10.29 mm 10.29 mm

封装 DIP DIP-36 EDIP-36

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free