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IRF9395MTR1PBF、IRF9395MTRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9395MTR1PBF IRF9395MTRPBF

描述 Direct-FET P-CH 30V 14A30V,7mΩ,-14A,双P沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 10

封装 Direct-FET Direct-FET

极性 P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14A 14A

上升时间 142 ns 142 ns

输入电容(Ciss) 3241pF @15V(Vds) 3241pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.1 W 2.1 W

下降时间 121 ns 121 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2100 mW 2100 mW

通道数 - 2

耗散功率 - 2.1 W

封装 Direct-FET Direct-FET

宽度 - 5.05 mm

材质 Silicon Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free