SI4823DY-T1-E3、SI4823DY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4823DY-T1-E3 SI4823DY-T1-GE3

描述 Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8Pin SOIC N T/RMOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

输入电容(Ciss) 660pF @10V(Vds) 660pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free