IRLR3105TRPBF、STD20NF06T4、STD25NF10T4对比区别

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型号 IRLR3105TRPBF STD20NF06T4 STD25NF10T4

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD20NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 43 mΩ 0.032 Ω 0.033 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 57 W 60 W 100 W

产品系列 IRLR3105 - -

输入电容 710pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 24.0 A 12.5 A

输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 57 W 60 W 100 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 60.0 V 100 V

额定电流 - 24.0 A 25.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 3 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

上升时间 - 30 ns 60 ns

下降时间 - 8 ns 15 ns

耗散功率(Max) - 60W (Tc) 100W (Tc)

额定功率 - 60 W -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99