IRG4RC10UD、IRG4RC10UDTRLP、IRG4RC10UDPBF对比区别

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型号 IRG4RC10UD IRG4RC10UDTRLP IRG4RC10UDPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3Pin (2+Tab) DPAKTrans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 8.50 A - -

额定功率 38 W 38 W 38 W

产品系列 IRG4RC10UD - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 28 ns 28 ns 28 ns

额定功率(Max) 38 W 38 W 38 W

耗散功率 - 38000 mW 38 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 38000 mW 38000 mW

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -