MRF377HR3、MRFE6P3300HR3、MRF8S9102NR3对比区别
型号 MRF377HR3 MRFE6P3300HR3 MRF8S9102NR3
描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 17A 5Pin NI-860C3 T/RRF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 865-960MHz, 28W Avg., 28V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Flange Screw Surface Mount
引脚数 5 5 3
封装 NI-860C3 NI-860C3 OM-780-2
频率 860 MHz 857MHz ~ 863MHz 920 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Not Halogen Free
输出功率 45 W 270 W 28 W
增益 18.2 dB 20.4 dB 23.1 dB
测试电流 2 A 1.6 A 750 mA
工作温度(Max) 200 ℃ 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 65 V 66 V 70 V
额定电压(DC) 32.0 V - -
额定电流 17 A 10 µA -
漏源极电压(Vds) 65 V - -
漏源击穿电压 65.0V (min) - -
耗散功率(Max) 648000 mW - -
输入电容(Ciss) - 106pF @32V(Vds) -
电源电压 - 32 V -
封装 NI-860C3 NI-860C3 OM-780-2
工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99