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L6569、L6571BD、L6571AD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6569 L6571BD L6571AD

描述 STMICROELECTRONICS  L6569  双功率芯片, 半桥, 10V-16.6V电源, 270mA输出, DIP-8STMICROELECTRONICS  L6571BD  双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8L6571 系列 双通道 175 mA 半桥 振荡器驱动器 表面贴装 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 SO-8

输出接口数 2 2 2

输出电压 618 V 618 V -

供电电流 25.0 mA 25.0 mA 25 mA

针脚数 8 8 -

输出电压(Max) 618 V 618 V -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V

电源电压(Max) 16.6 V 16.6 V -

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

电源电压(DC) 16.6V (max) - 16.6V (max)

频率 0.2 MHz - -

输出电流 175 mA - -

通道数 2 - -

长度 10.92 mm 5 mm -

宽度 6.6 mm 4 mm -

高度 3.32 mm 1.25 mm 1.65 mm

封装 DIP-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99