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CY7C128A-35VXC、LH5116NA-10、6116LA25SOG8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C128A-35VXC LH5116NA-10 6116LA25SOG8

描述 SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 35ns 24Pin SOJSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin SOPSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 25ns 24Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Sharp (夏普) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 24 24

封装 SOJ-24 SOP-24 SOIC-24

存取时间 35.0 ns 100 ns 25 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

时钟频率 35.0 GHz 100 GHz -

内存容量 16000 B 16000 B -

存取时间(Max) - 100 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

长度 - - 15.4 mm

宽度 - - 7.60 mm

封装 SOJ-24 SOP-24 SOIC-24

厚度 - - 2.34 mm

高度 - 2.4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free