IRFBG30PBF、2SK1119(F)、STP5NK100Z对比区别

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型号 IRFBG30PBF 2SK1119(F) STP5NK100Z

描述 功率MOSFET Power MOSFETTOSHIBA  2SK1119(F)  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 3.5 VSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 125 W 100 W 125 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 5 Ω 3 Ω 3.7 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 100 W 125 W

阈值电压 4 V 3.5 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1 kV

连续漏极电流(Ids) 3.10 A 4.00 A 3.50 A

输入电容(Ciss) 980pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 100 W 125 W

耗散功率(Max) 125 W 100W (Tc) 125W (Tc)

额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV

额定电流 3.10 A - 3.50 A

通道数 - - 1

漏源击穿电压 1.00 kV - 1.00 kV

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±30.0 V

上升时间 25 ns - 7.7 ns

下降时间 20 ns - 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.41 mm - 10.4 mm

宽度 4.7 mm - 4.6 mm

高度 9.01 mm - 9.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99