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US1B、US1B R2、ES1D-E3/5AT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 US1B US1B R2 ES1D-E3/5AT

描述 MULTICOMP  US1B  快速/超快二极管, 单, 100 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A1A,Taiwan Semiconductor### 二极管和整流器,Taiwan SemiconductorVISHAY  ES1D-E3/5AT  快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 920 mV, 15 ns, 30 A

数据手册 ---

制造商 Multicomp Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管肖特基二极管整流二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AC DO-214AC-2 DO-214AC

正向电压 1.00 V - 920mV @1A

反向恢复时间 50 ns 50 ns 15 ns

正向电流 1 A 1 A 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A 30 A 30 A

正向电压(Max) 1 V 1 V 920 mV

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

正向电流(Max) - 1 A 1 A

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

封装 DO-214AC DO-214AC-2 DO-214AC

长度 - 4.6 mm 4.5 mm

宽度 - 2.83 mm 2.79 mm

高度 - 2.3 mm 2.09 mm

产品生命周期 Unknown - Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃