SI3134KDW-TP、SSM6P35FE(TE85L,F)对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI3134KDW-TP SSM6P35FE(TE85L,F)

描述 2个N沟道 20V 750mAES P-CH 20V 0.1A

数据手册 --

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Toshiba (东芝)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363 SOT-563

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

输入电容(Ciss) 120pF @16V(Vds) 12.2pF @3V(Vds)

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

极性 - P-CH

连续漏极电流(Ids) - 0.1A

耗散功率(Max) - 150 mW

封装 SOT-363 SOT-563

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not For New Designs Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free