IS43TR16640AL-125JBLI、IS43TR16640BL-125JBL、IS43TR16640AL-125JBL对比区别
型号 IS43TR16640AL-125JBLI IS43TR16640BL-125JBL IS43TR16640AL-125JBL
描述 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 96 96 96
封装 BGA-96 TFBGA-96 BGA-96
供电电流 205 mA 200 mA 205 mA
存取时间 20 ns 20 ns 20 ns
存取时间(Max) 20 ns 0.225 ns 20 ns
工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃ 95 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.283V ~ 1.45V 1.283V ~ 1.45V 1.283V ~ 1.45V
位数 - 16 16
电源电压(Max) - - 1.45 V
电源电压(Min) - - 1.283 V
时钟频率 - 800 MHz -
高度 0.8 mm - 0.8 mm
封装 BGA-96 TFBGA-96 BGA-96
工作温度 -40℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99 -