199D475X0035C1V1E3、TD4.7M35、199D475X0035C2B1E3对比区别

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型号 199D475X0035C1V1E3 TD4.7M35 199D475X0035C2B1E3

描述 VISHAY  199D475X0035C1V1E3  钽电容, 4.7uF, 35V, 径向引线NTE ELECTRONICS  TD4.7M35  钽电容, 4.7MF 35VCap Tant Solid 4.7uF 35V 20% (5.5 X 9.14mm) Radial 2.54mm 125℃ T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容钽电容电容

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 - N/R -

引脚间距 2.54 mm 2.54 mm -

引脚数 2 - -

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V -

电容 4.7 µF 4.7 µF 4.70 µF

容差 ±20 % ±20 % ±20 %

产品系列 - TD -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压 35 V 35 V 35 V

高度 9.14 mm 10.5 mm -

直径 - Φ5.5mm -

封装 - N/R -

引脚间距 2.54 mm 2.54 mm -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Each Each Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

HTS代码 - 85322100407 -