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STP18N55M5、STP78N75F4、SPA11N60CFDXKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP18N55M5 STP78N75F4 SPA11N60CFDXKSA1

描述 STMICROELECTRONICS  STP18N55M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN沟道 75V 78AN沟道 600V 11A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 0.18 Ω - 0.38 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 90 W 150 W 33 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 75 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 78A 11.0 A

上升时间 9.5 ns 33 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 1260pF @100V(Vds) 5015pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 150 W 33 W

下降时间 13 ns 14 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 150W (Tc) 33W (Tc)

通道数 - 1 -

针脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 15.75 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -