STE53NC50、STN4NF06L、IXFN64N50P对比区别

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型号 STE53NC50 STN4NF06L IXFN64N50P

描述 STMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V60V,4A,N沟道MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Screw

引脚数 4 4 4

封装 ISOTOP-4 TO-261-4 SOT-227-4

针脚数 4 3 4

漏源极电阻 0.08 Ω 0.07 Ω 0.085 Ω

耗散功率 460 W 3.3 W 700 W

阈值电压 3 V 2.8 V 5.5 V

输入电容 - 340 pF 8.70 nF

漏源极电压(Vds) 500 V 60 V 500 V

上升时间 70 ns 25 ns -

输入电容(Ciss) 11200pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W 3.3 W 700 W

下降时间 38 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 3.3W (Tc) 700W (Tc)

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 53.0 A - 64.0 A

额定功率 460 W - -

通道数 1 - -

极性 N-Channel - N-Channel

漏源击穿电压 500 V - 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 53.0 A - 61.0 A

隔离电压 2.50 kV - -

栅电荷 - - 150 nC

封装 ISOTOP-4 TO-261-4 SOT-227-4

长度 38.2 mm - 38.23 mm

宽度 25.5 mm - 25.42 mm

高度 9.1 mm - 9.6 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -