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RMLV0414EGSB-4S2#AA0、RMLV0414EGSB-4S2#HA0、RMLV0414EGSB-4S2#AA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RMLV0414EGSB-4S2#AA0 RMLV0414EGSB-4S2#HA0 RMLV0414EGSB-4S2#AA1

描述 SRAM,RMLV 系列,Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗,还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间:45ns(最大值) 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出,带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256KWord x 16 45ns 44Pin TSOP Embossed T/RSRAM 256K x 16 45ns 3V TSOP44

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

安装方式 Surface Mount - -

位数 16 16 16

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

时钟频率 1 MHz - -

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

长度 18.51 mm - -

宽度 10.26 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

ECCN代码 3A991 - -