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IRLZ34PBF、STP36NF06L、IRLZ34NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLZ34PBF STP36NF06L IRLZ34NPBF

描述 VISHAY  IRLZ34PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 50 mohm, 5 V, 2 VSTMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRLZ34NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 30A TO-220AB 新

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.05 Ω 0.032 Ω 35 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 88 W 70 W 68 W

阈值电压 2 V 2.5 V 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

额定电压(DC) - 60.0 V 55.0 V

额定电流 - 30.0 A 30.0 A

产品系列 - - IRLZ34N

输入电容 - - 880pF @25V

漏源击穿电压 - 60.0 V 55 V

栅源击穿电压 - ±18.0 V ±16.0 V

上升时间 - 80 ns 100 ns

输入电容(Ciss) - 660pF @25V(Vds) 880pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 70 W 68 W

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 70 W -

通道数 - 1 -

下降时间 - 13 ns -

耗散功率(Max) - 70W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.54 mm

高度 - 9.15 mm 15.24 mm

宽度 - 4.6 mm -

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

ECCN代码 - EAR99 -