STW30NF20、STW34NB20、IRFP4227PBF对比区别

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型号 STW30NF20 STW34NB20 IRFP4227PBF

描述 N沟道200V - 0.065ヘ - 30A - TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFETN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFETINFINEON  IRFP4227PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 25 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - 180 W 330 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 0.065 Ω 75.0 mΩ 0.025 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 180W (Tc) 330 W

阈值电压 3 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 34.0 A 65A

上升时间 15.7 ns 40 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1597pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 180 W 330 W

下降时间 8.8 ns 18 ns 31 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 180W (Tc) 330W (Tc)

漏源击穿电压 200 V 200 V -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 34.0 A -

通道数 - 1 -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 - - 15.87 mm

宽度 - 5.15 mm 5.31 mm

高度 - - 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17