CY7C1518KV18-250BZXC、CY7C1518V18-250BZC、GS8672T18BGE-250对比区别

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型号 CY7C1518KV18-250BZXC CY7C1518V18-250BZC GS8672T18BGE-250

描述 72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

位数 18 18 -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

高度 0.89 mm 0.89 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 -

香港进出口证 - NLR -