IRFIB6N60APBF、STP9NK60ZFP、STP10NK60ZFP对比区别

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型号 IRFIB6N60APBF STP9NK60ZFP STP10NK60ZFP

描述 单 N 沟道 600 V 0.75 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220FPSTMICROELECTRONICS  STP9NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 950 mohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 10.0 A

额定功率 - - 35 W

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.75 Ω 0.95 Ω 0.65 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 30 W 35 W

阈值电压 4 V 3.75 V 3.75 V

输入电容 - - 1370 pF

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 7.00 A 10.0 A

上升时间 25 ns 17 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W 30 W 35 W

下降时间 22 ns 15 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 60 W 30W (Tc) 35W (Tc)

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 9.8 mm 16.4 mm 9.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -