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FQB85N06、FQB85N06TM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB85N06 FQB85N06TM

描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETN沟道 60V 85A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 85A 85A

输入电容(Ciss) - 4120pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.75 W

封装 D2PAK TO-263-3

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)