RHK003N06T146、RK7002AT116对比区别

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型号 RHK003N06T146 RK7002AT116

描述 N沟道 60V 300mA场效应管(MOSFET) RK7002AT116 SOT-23-3

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V 60.0 V

额定电流 300 mA 300 mA

漏源极电阻 1.10 Ω 1.10 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 200mW (Ta) 200 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 300 mA

上升时间 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 33pF @10V(Vds) 33pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 200 mW

下降时间 80 ns 80 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200mW (Ta) 200mW (Ta)

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.95 mm

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free