IPB054N06N3G、IPB054N06N3GATMA1、SPB80N06S2-H5对比区别

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型号 IPB054N06N3G IPB054N06N3GATMA1 SPB80N06S2-H5

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-TransistorInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 -

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 115 W 115 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 80.0 A

输入电容 - 5000 pF 550 pF

栅电荷 - - 155 nC

连续漏极电流(Ids) - 80A 80.0 A

输入电容(Ciss) - 5000pF @30V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 300 W

耗散功率(Max) - 115 W 300W (Tc)

额定功率 - 115 W -

上升时间 - 68 ns -

下降时间 - 9 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.31 mm -

宽度 - 11.05 mm -

高度 - 4.57 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)