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MT46H32M16LFBF-5:B、MT46H32M16LFBF-6:B、W949D6CBHX5E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46H32M16LFBF-5:B MT46H32M16LFBF-6:B W949D6CBHX5E

描述 DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 - BGA TFBGA-60

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 60 -

工作电压 1.80 V 1.80 V -

电源电压 1.8 V 1.8 V 1.7V ~ 1.95V

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 6.5ns, 5ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

封装 - BGA TFBGA-60

高度 - 0.65 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - - -25℃ ~ 85℃