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TSH63CD、TSH63CDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSH63CD TSH63CDT

描述 宽带,低功耗与待机运算放大器 Wide-Band, Low-Power Operational Amplifiers with Standby宽带,低功耗与待机运算放大器 Wide-Band, Low-Power Operational Amplifiers with Standby

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-14 SOIC-14

引脚数 - 14

供电电流 9.8 mA 9.8 mA

电路数 3 3

输入补偿电压 1.2 mV 1.2 mV

输入偏置电流 6 µA 6 µA

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

3dB带宽 74 MHz 74 MHz

通道数 - 3

转换速率 - 86.0 V/μs

长度 8.75 mm -

宽度 4 mm -

高度 1.65 mm -

封装 SO-14 SOIC-14

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free