BSM75GB120DN2、MG75Q2YS42、SM75对比区别

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型号 BSM75GB120DN2 MG75Q2YS42 SM75

描述 IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw - -

引脚数 7 - -

封装 34MM-1 - -

额定功率 625 W - -

耗散功率 625 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 625000 mW - -

长度 94 mm - -

宽度 34 mm - -

高度 30.5 mm - -

封装 34MM-1 - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -

产品生命周期 Not Recommended for New Design Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -