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CY7C1370D-167BZC、CY7C1370D-200BZC、CY7C1370D-167BZI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370D-167BZC CY7C1370D-200BZC CY7C1370D-167BZI

描述 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture18兆位( 512K的X 36/1的M× 18 )流水线SRAM与NOBL架构 18-Mbit (512 K x 36/1 M x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA FBGA-165 LBGA

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 165 -

封装 LBGA FBGA-165 LBGA

高度 - 0.89 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

位数 - 36 -

存取时间 - 3 ns -

存取时间(Max) - 3 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 3.135V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3.135 V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -