STE40NK90ZD、STY30NK90Z、STE30NK90Z对比区别

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型号 STE40NK90ZD STY30NK90Z STE30NK90Z

描述 N沟道900V - 0.14 - 40 A ISOTOP超级FREDMeshTM MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.14 - 40 A ISOTOP Super FREDMeshTM MOSFETN沟道900V - 0.21ohm - 26A MAX247齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFETN沟道900V - 0.21ヘ - 28A ISOTOP齐纳保护SuperMESTM MOSFET N-channel 900V - 0.21ヘ - 28A ISOTOP Zener-Protected SuperMESTM MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Through Hole Screw

引脚数 4 3 4

封装 ISOTOP-4 TO-247-3 ISOTOP-4

额定电压(DC) 900 V 900 V 900 V

额定电流 40.0 A 26.0 A 30.0 A

额定功率 600 W - -

漏源极电阻 180 mΩ 210 mΩ 210 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 600 W 450W (Tc) 500 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V 900 V 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 28.0 A 14.0 A

上升时间 102 ns 59 ns 59 ns

输入电容(Ciss) 25000pF @25V(Vds) 12000pF @25V(Vds) 12000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 600 W 450 W 500 W

下降时间 200 ns 72 ns 72 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 450W (Tc) 500W (Tc)

长度 38.2 mm - 38.2 mm

宽度 25.5 mm - 25.5 mm

高度 9.1 mm - 9.1 mm

封装 ISOTOP-4 TO-247-3 ISOTOP-4

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -