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IRL520PBF、NTE2987、IRL520NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL520PBF NTE2987 IRL520NPBF

描述 VISHAY  IRL520PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 100 V, 270 mohm, 5 V, 2 VNTE ELECTRONICS  NTE2987  芯片, 高速开关, MOSFET, N沟道, 20A, TO220-3INFINEON  IRL520NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定功率 - - 48 W

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.27 Ω 0.09 Ω 0.18 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 105 W 48 W

阈值电压 2 V 1.6 V 2 V

输入电容 490pF @25V - 440 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 9.20 A 20A 10A

上升时间 64 ns 140 ns 35 ns

输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 48 W

下降时间 27 ns 80 ns 22 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 105000 mW 48W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 9.20 A - -

长度 10.51 mm - 10 mm

宽度 4.7 mm - 4.4 mm

高度 15.49 mm - 8.77 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 - - Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 85412900951 -