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BU2527AF、BU2527AX、MJW16212对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU2527AF BU2527AX MJW16212

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorTrans GP BJT NPN 650V 10A 3Pin(3+Tab) TO-247AE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-247 TOP-3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 800 V 800 V -

集电极最大允许电流 12A 12A -

封装 TO-247 TOP-3 -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free