IRF610B、STP120NF10对比区别
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220 TO-220-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 200 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 3.3A 110 A
额定电压(DC) - 100 V
额定电流 - 120 A
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.009 Ω
耗散功率 - 312 W
阈值电压 - 4 V
漏源击穿电压 - 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
上升时间 - 90 ns
输入电容(Ciss) - 5200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 312 W
下降时间 - 68 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 312000 mW
封装 TO-220 TO-220-3
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.15 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99