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IXFK24N90Q、IXFX24N90Q、IXFN27N80Q对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK24N90Q IXFX24N90Q IXFN27N80Q

描述 TO-264AA N-CH 900V 24APLUS N-CH 900V 24AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN27N80Q  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-264-3 TO-247-3 SOT-227-4

引脚数 - - 4

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 500W (Tc) 500W (Tc) 520 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 24A 24A 27.0 A

输入电容(Ciss) 5900pF @25V(Vds) 5900pF @25V(Vds) 7600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 520W (Tc)

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 0.32 Ω

阈值电压 - - 4.5 V

上升时间 - - 28 ns

隔离电压 - - 2.50 kV

额定功率(Max) - - 520 W

下降时间 - - 13 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-264-3 TO-247-3 SOT-227-4

长度 - - 38.2 mm

宽度 - - 25.07 mm

高度 - - 9.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 - - 40.0 g

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15