BST72A、VN0808L-G、BST72A,112对比区别

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型号 BST72A VN0808L-G BST72A,112

描述 N沟道垂直D- MOS晶体管 N-channel vertical D-MOS transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 80 V, 4 ohm, 10 V, 2 VSPT N-CH 100V 0.19A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Microchip (微芯) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 830 mW 1 W 830mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 100 V 80 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 190 mA - 0.19A

输入电容(Ciss) - 50pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - 1W (Tc) 830mW (Ta)

额定功率 - 1 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 10 Ω 4 Ω -

阈值电压 - 2 V -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 190 mA - -

通道数 1 - -

输入电容 40.0 pF - -

漏源击穿电压 100 V - -

上升时间 70 ns - -

下降时间 70 ns - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 4.8 mm - -

宽度 4.2 mm - -

高度 5.2 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free