锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

M29W640GSL70ZF6E、M29W640GSL70ZF6F TR、M58LW064D110ZA6对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W640GSL70ZF6E M29W640GSL70ZF6F TR M58LW064D110ZA6

描述 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8/4M x 16 70ns 64Pin TBGA TrayIC FLASH 64Mbit 70NS 64TBGA64兆位(8MB X8 , X16 4Mb的,统一块) 3V供应闪存 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 Flash芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA-64 TBGA-64 TBGA-64

时钟频率 - - 110 GHz

存取时间 - - 110 ns

内存容量 - - 64000000 B

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 TBGA-64 TBGA-64 TBGA-64

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free