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PMXB56ENZ、PMXB65ENEZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMXB56ENZ PMXB65ENEZ

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3Pin DFN-D EP晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1.4 V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 XDFN-3 XDFN-3

引脚数 - 3

耗散功率 * 400 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 209pF @15V(Vds) 295pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 400 mW 400 mW

耗散功率(Max) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) 400mW (Ta), 8.33W (Tc)

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.044 Ω

阈值电压 - 1.4 V

输入电容 - 295 pF

上升时间 - 12 ns

下降时间 - 3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 XDFN-3 XDFN-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

REACH SVHC版本 - 2018/06/27