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D8-10、FESF8BT-E3/45、UF801F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D8-10 FESF8BT-E3/45 UF801F

描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN整流器 100 Volt 8.0A 35ns SingleRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices Vishay Semiconductor (威世) PANJIT Touch Screens

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-220-2 TO-220

正向电压 - 950mV @8A -

反向恢复时间 - 35 ns -

正向电压(Max) - 950mV @8A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 10.26 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 8.89 mm -

封装 - TO-220-2 TO-220

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -